IC下線製作
- 低功率可程序控制之多重臨限-臨限邏輯閘電路設計。教育性晶片設計。(編號：T18-104A-E0075，甘廣宙教授/郭俊邑同學)。
- 可程序控制之多重臨限-臨限邏輯閘電路設計。教育性晶片設計。(編號：T18-105A-E0054，甘廣宙教授/郭俊邑同學)。
- 以MOS-NDR電路設計多輸入Muller C-element。教育性晶片設計。(編號：T18-105B-E0016，甘廣宙教授/張哲維同學)。
- 以MOS-NDR設計多數決電路。教育性晶片設計。(編號：T18-105B-E0019，甘廣宙教授/張哲維、廖昱翔同學)。
- 具渾沌現象之類比除頻器設計。教育性晶片設計。(編號：T18-105B-E0026，甘廣宙教授/郭俊邑同學)。
- 以NDR電路為基礎設計一振盪器電路。教育性晶片設計。(編號：SiGe18-103B-E0001，甘廣宙教授/江正傑同學)。
- 以MOBILE理論實現多函數邏輯閘。教育性晶片設計。(編號：T18-102D-E0022，甘廣宙教授/吳東翰同學)。
- 新型全加法器電路設計及其應用。教育性晶片設計。(編號：T18-102D-E0078，甘廣宙教授/黃冠淳同學)。
- 具多重臨限之臨限邏輯閘之設計。教育性晶片設計。(編號：T18-102D-E0079，甘廣宙教授/陳思涵同學)。
- 以NDR元件實現全加法器之設計。教育性晶片設計。(編號：T18-102B-E0031，甘廣宙教授/高振凱同學)。
- 藉由不同參數調整來設計 NDR之單穩態-雙穩態邏輯電路。教育性晶片設計。(編號：T18-102B-E0037，甘廣宙教授/江正傑同學)。
- 具多重臨限之臨限邏輯閘之設計。教育性晶片設計。(編號：T18-102A-E0150/，甘廣宙教授/黃建雄同學)。
- Van der Pol 振盪器之設計與混沌現象之應用。前瞻性晶片設計。(編號：SiGe18-101C-05，甘廣宙教授/江正傑同學)。
- 以主動負載之壓控震盪器設計。教育性晶片設計。(編號：T18-101E-16e，甘廣宙教授/吳東翰;廖昱翔同學)。
- 以差動電路實現環型壓控震盪器設計。教育性晶片設計。(編號：T18-101E-59e，甘廣宙教授/郭俊邑;林珈安同學)。
- 新型架構設計D型正反器電路及應用。教育性晶片設計。(編號：T18-101E-23e，甘廣宙教授/黃冠淳同學;陳思涵同學)。
- 以NDR元件實現D型正反器之設計。前瞻性晶片設計。(編號：T18-101D-46，甘廣宙教授/高振凱同學)。
- 單穩態-雙穩態傳輸邏輯閘電路應用。前瞻性晶片設計。(編號：T18-101B-132，甘廣宙教授/黃建雄同學)。
- 單穩態-雙穩態傳輸邏輯閘電路設計。前瞻性晶片設計。(編號：T18-101B-127，甘廣宙教/高振凱同學)。
- 單穩態-雙穩態傳輸邏輯閘電路設計。教育性晶片設計。(編號：SiGe18-101a-05e，甘廣宙教授/連映琦;周芳瑜同學)。
- 高頻除頻器之電路設計。教育性晶片設計。(編號：T18-101Ae-09e，甘廣宙教授/孫士元;鄭詠霖同學)。
- 單穩態-雙穩態傳輸邏輯閘電路設計。教育性晶片設計。(編號：T18-101Ae-10e，甘廣宙教授/詹宗杰;蘇新証同學)。
- 以BiCMOS製程設計具有連續除頻效果之類比式除頻器。前瞻性晶片設計。(SiGe18-100B-02，甘廣宙教授/吳炳鋒同學。
- 利用MOS-BJT-NDR電路設計具高除頻因子之除頻電路。前瞻性晶片設計。(編號：56b/T18-100A-73，甘廣宙教授/吳炳鋒同學)。
- 精簡型且可多重選擇之多值邏輯電路設計。前瞻性晶片設計。(編號：113b/T18-100A-107，甘廣宙；謝奇文教授/謝武諺同學)。
- 以BJT-MOS-NDR架構實現類比除頻器。教育性晶片設計。(編號：20e/T18-100A-224e，甘廣宙教授/黃喬楷;黃鴻智同學)。
- 以 MOS-NDR 架構實現類比除頻器。教育性晶片設計。(編號：21e/T18-100A-225e，甘廣宙教授/連映琦;周芳瑜同學)。
- 多重選擇之多值邏輯電路設計。教育性晶片設計。(編號：54e/T18-100A-244e，甘廣宙教授/陳世哲;張峻豪同學)。
- 以差動壓控振盪器實現鎖相迴路。前瞻性晶片設計。(編號：T18-99B-160，甘廣宙教授/張家祥同學)。
- 串聯式NDR除頻器。前瞻性晶片設計。(編號：T18-99A-131，甘廣宙、蔡澈雄教授/陳冠宇同學)。
- 以MOS-HBT-NDR元件設計新型態之多值記憶器。前瞻性晶片設計。(編號：T18-99A-132，甘廣宙、蔡澈雄教授/陳彥汶同學)。
- 實現除50之NDR除頻器。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-98D-09b/SiG35-98D-03b，甘廣宙、蔡澈雄教授/陳冠宇同學)。
- 多重選擇之多值邏輯電路設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-98D-16b/SiG35-98D-07b，甘廣宙、蔡澈雄教授/陳彥汶;謝武諺同學)。
- 以差動放大器實現寬頻壓控振盪器。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-98D-10b/SiG35-98D-04b，蔡澈雄、甘廣宙教授/張家祥同學)。
- 新型差動比較器設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-97C-19b/SiG35-97C-10b，甘廣宙教授/王敬舜同學)。
- 以MOBILE反相器為基礎應用於新型邏輯閘電路設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-97B-20b/SiG35-97B-14b，甘廣宙、蔡澈雄教授/李昱寬同學)。
- 以主動負載差動放大器為設計基礎之UHF鎖相迴路。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-97A-07b，蔡澈雄、甘廣宙教授/林明信、張建鏵同學)。
- 新型差動比較器電路設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-96D-22t，甘廣宙教授/王敬舜同學)。
- 以標準HBT元件構建新型NDR電路及應用探討。(編號：SiG35-96D-25b，甘廣宙教授/籃耿晃同學)。
- 以主動負載差動放大器為設計基礎之UHF壓控振盪器。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-96C-21b，蔡澈雄、甘廣宙教授/林明信,張建鏵,江淑音,郭銘遠同學)。
- 多功能邏輯閘電路設計及其在細胞式類神經網路電路的應用。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-96B-07b，甘廣宙教授/劉士豪同學)。
- 實現單穩態-雙穩態邏輯閘電路及其在除頻器與振盪器之應用。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-96B-10b，甘廣宙、陳耀煌教授/劉士豪同學)。
- 4對1新式T-閘解碼器與多工器電路之實現。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-96B-11b，甘廣宙、陳耀煌教授/林奕志同學)。
- 可程式邏輯控制的新型多重選擇之多值記憶器電路設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG35-96A-06b，甘廣宙、陳耀煌教授/林奕志同學)。
- 新型N型與λ型負微分電阻元件設計。測試性晶片設計。(編號：SiG-94D-01t，甘廣宙教授/塗俊達同學)。
- 新型多值記憶器電路設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-94D-06b，陳耀煌、甘廣宙教授/溫峻明、洪士勛、林奕志、孫偉倫同學)。
- 以負微分電阻之壓控振盪器為基礎的鎖相迴路設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-94D-07b，蔡澈雄、甘廣宙教授/曾勝暘、陳家弘同學)。
- 新型多工器與解碼器電路設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-94D-08b，陳耀煌、甘廣宙教授/溫峻明,羅傑文,蔡宗哲,陳柏昌同學)。
- 以λ型MOS-BJT-NDR元件設計射頻環型振盪器。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-94C-05b，甘廣宙教授/蕭仲志同學)。
- 適用於UHF收發模組之鎖相迴路設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-94C-08b，蔡澈雄、甘廣宙教授/陳家弘、謝明益、吳佳明、廖俊傑同學)。
- 以MOS-BJT-NDR元件與電路實現4位元邏輯閘電路設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-94C-12b，甘廣宙教授/塗俊達同學)。
- 以MOS-BJT-NDR元件實現除頻器電路。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-94C-13b，甘廣宙教授/温峻明同學)。
- MOS-BJT-NDR元件之參數調變及其應用在邏輯電路上之探討。測試性晶片設計(編號：SiG-94B-02t，甘廣宙教授/孫偉倫、塗俊達同學)。
- 以λ型負微分電阻元件實現高頻環型振盪器。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-94B-19b，甘廣宙教授/塗俊達、蕭仲志、陳奇斌同學)。
- 以雙介面電晶體差動放大器為設計基礎之振盪器。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-94B-20b，蔡澈雄,甘廣宙教授/吳佳明,廖俊傑同學)。
- 以MOS-NDR元件設計高頻壓控振盪器。前瞻性晶片設計。(編號：D35-94A-05，甘廣宙教授/蕭仲志、王仕裕同學)。
- 以MOS-BJT-NDR元件與電路研究低功率邏輯閘電路設計。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-94A-06b/10b，甘廣宙教授/陳奇斌同學)。
- BJT-MOS-NDR元件和電路的設計與製作。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-92D-01b，甘廣宙教授/鄭福龍同學)。
- 新型R-BJT-NDR與MOS-BJT-NDR元件的設計與製作。前瞻性晶片設計。(編號：SiG-92D-02b，甘廣宙教授/曾信達同學)。
- 以新型式MOS-NDR負微電阻元件設計邏輯電路之應用。前瞻性晶片設計。(編號：S35-92C/30b，甘廣宙教授/黃文賓同學)。
- 多峰值MOS-NDR元件設計與應用電路製作。前瞻性晶片設計。(編號：S35-92A/01b，甘廣宙教授/郭士賓同學)。
- 以CMOS構建之負微分電阻元件設計。前瞻性晶片設計。(編號：S35-91D/04b，甘廣宙教授/郭士賓同學)。
- 以MOS構建之負微分電阻元件設計之多值記憶器與邏輯閘電路。前瞻性晶片設計。(編號：S35-91D/05b，甘廣宙教授/郭士賓同學)。